비츠로테크 LA, SA는 비직선 저항계수 성능이 탁월한 산화아연(ZnO) 소자를 이용한 Gapless형 이며,종래 탄화규소(SiC)형에 비하여 속류차단실패가 없고 산화아연소자를 이용하여 다중뇌, 다중 Surge에 대한 동작특성이 우수하며 내오손특성이 획기적으로 개선되었습니다. 아울러 방전내량 상당의 대전류에서 동작 책무가 가능합니다.
LA 및 SA의 원리
종래 Gap Type LA, SA의 특성요소 탄화규소(SiC)소자는 200㎛ 전후의 SiC입자가 입체적으로 접촉한 것을 점토따위의 자기 결합체로 소결한 것으로 그 전압 - 전류 비직선특성은 SiC입자의 접촉성질에 기인하고 있습니다. 이것에 대하여 산화아연을 주성분으로 하는 소결체(ZnO소자)는 5~10㎛ 정도의 ZnO결정 미립자를 0.1㎛ 전후의 Bi2O3따위로 이루어진 고저항층이 접착시켜 주고있어, 이 박막을 사이에 두고 ZnO소결입자가 서로 접촉하고 있습니다.
ZnO소결입자의 비저항층은 경계층의 비저항에 비해 훨씬 작기 때문에 소자의 양단면에 고전압을 인가하면 전압의 대부분 이 경계층에 걸리고 전류증배현상이 생겨 이상적인 전압-전류 비직선 특성이 나타납니다. SiC소자의 경우에는 정격대지 전압에서 수백 A의 전류가 흐르고 연속 사용하면 열파괴가 생기기 때문에 이 SiC소자를 사용한 Gap Type은 직렬 Gap에 의해 정격대지전압을 절연하고 전류를 흐르지 않게 할 필요가 있습니다.
그러나 산화아연소자는 우수한 비직선 저항특성을 보유하고 있기 때문에 수십㎂정도의 전류밖에 흐르지 않으므로 직렬 Gap이 필요 없습니다.
